深圳市明佳達(dá)電子有限公司，作為電子回收領(lǐng)域的佼佼者，憑借其雄厚的經(jīng)濟(jì)實力和良好的商業(yè)信譽(yù)，迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴，建立了長期合作關(guān)系。三星（SAMSUNG）HBM（高帶寬存儲）解決方案已為高性能計算(HPC) 進(jìn)行優(yōu)化，提供支持下一代技術(shù)——如人工智能…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司，作為電子回收領(lǐng)域的佼佼者，憑借其雄厚的經(jīng)濟(jì)實力和良好的商業(yè)信譽(yù)，迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴，建立了長期合作關(guān)系。
三星（SAMSUNG）HBM（高帶寬存儲）解決方案已為高性能計算(HPC) 進(jìn)行優(yōu)化，提供支持下一代技術(shù)——如人工智能(AI)——所需的性能， 這些技術(shù)將改變我們的生活、工作和連接方式。明佳達(dá)電子回收的HBM產(chǎn)品主要包括以下幾個：
1、HBM?：這是最早的版本，采用了3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起，通過硅通孔（TSV）技術(shù)實現(xiàn)芯片間的高速信號傳輸。
2、HBM2?：HBM2的數(shù)據(jù)傳輸速率從每引腳1Gbps-1.6Gbps提升到了2Gbps-3.2Gbps，總帶寬大幅提升，能夠達(dá)到每秒幾百GB。
3、HBM2E：HBM2e在高性能計算和圖形處理中表現(xiàn)出色，提供了更高的存儲容量和更低的功耗?。
4、HBM3?：HBM3的帶寬高達(dá)819GB/s，處理速度達(dá)到6.4Gbps。HBM3 Icebolt采用12層10納米級16 Gb DRAM die堆疊，存儲容量達(dá)到24GB，能效比上一代產(chǎn)品提高了10%?。
5、HBM3E：這是HBM3的擴(kuò)展版本，提供了更高的堆棧層數(shù)和帶寬。HBM3E有8hi和12hi兩種規(guī)格，進(jìn)一步提升了內(nèi)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐能力?。
6、HBM4?：采用了4nm制程的邏輯芯片和10nm制程的DRAM。HBM4支持2048位接口和6.4GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，單個堆棧帶寬達(dá)到1.6TB/s，極大地提升了內(nèi)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐能力，適用于人工智能、深度學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)處理和高性能計算等領(lǐng)域?。
回收流程
1、您將積壓的IC/模組庫存進(jìn)行簡單分類，確定型號、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等。
2、請將庫存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們評估團(tuán)隊。
3、等待公司專業(yè)人士的采購報價，達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付。
4、公司只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。
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