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隨著5G網(wǎng)絡(luò)及設(shè)備的持續(xù)普及，半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)等將有巨大提升空間，催生大量新興應(yīng)用，將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來發(fā)展機遇，對于半導(dǎo)體設(shè)備商、制造商、設(shè)計商以及供應(yīng)商將是重要發(fā)展機會。

1、5G推動半導(dǎo)體設(shè)計向更高集成度、更小尺寸、更高性能發(fā)展

當(dāng)前，我國芯片設(shè)計在提升自給率、政策支持、規(guī)格升級與創(chuàng)新應(yīng)用等要素的驅(qū)動下，保持著高速增長趨勢。2020年我國芯片設(shè)計行業(yè)銷售額首次突破500億美元。

芯片作為支撐5G發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)要素，將促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求、技術(shù)方面發(fā)生巨大變化。5G推動芯片向更高集成度、更小尺寸和更高的性能發(fā)展，新的封裝技術(shù)要求設(shè)計和制造能力的不斷提升。

未來5年是毫米波網(wǎng)絡(luò)建設(shè)密集期，可實現(xiàn)uRLLC、mMTC應(yīng)用。5G射頻芯片及器件的材料工藝集成技術(shù)將發(fā)生重大變革。

2、5G推動SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料突破發(fā)展

在5G階段，5G產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特性，傳統(tǒng)的硅原料因無法克服在高壓、高頻中的損耗，而第三代半導(dǎo)體材料SiC、GaN能夠降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易實現(xiàn)小型化、更耐高溫高壓。

同時，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點，手機端射頻PA開啟GaAs制程。在基站端，GaN材料依托高頻、高輸出功率的優(yōu)勢，將逐步運用到基站功放器件中。

3、5G成為拉動半導(dǎo)體設(shè)備的核心動力

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場集中度高，前三家 AMAT、ASML、Lam的市場份額合計約占50%。5G帶動先進制程工藝設(shè)備需求爆發(fā)，將通過終端應(yīng)用產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，拉動成熟制程工藝設(shè)備及存儲芯片工藝設(shè)備的市場需求。

4、5G拓展傳感器應(yīng)用范圍，柔性傳感器重要性凸顯

5G在傳感器的應(yīng)用方面，5G賦能圖像傳感器，增強機器視覺，能夠應(yīng)用于遠程醫(yī)療、遠程工業(yè)視頻等。

5G賦能開關(guān)傳感器，可以減少工廠線纜，以節(jié)約成本和生產(chǎn)線，以適應(yīng)定制化、柔性化的需求，運用柔性電子技術(shù)和設(shè)備工藝制造柔性傳感器。5G將擴展傳感器行業(yè)的應(yīng)用范圍，將提升改善傳感器產(chǎn)品、生產(chǎn)制造等方面的技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)。

5、5G推動光電子器件需求進一步增長

光器件是光電技術(shù)在通信領(lǐng)域重要的應(yīng)用產(chǎn)品，光器件在電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)中有不同的細化分類，例如光放大器、光纖連接器、光模塊、光電檢測器等，都屬于光器件。

光模塊是由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。5G接入網(wǎng)架構(gòu)變成CU-DU-AAU三層架構(gòu)，光模塊需求將進一步提升。據(jù)相關(guān)預(yù)測5G時代光電子器件需求總量約為5300萬只，是4G時代需求的2.67倍。

6、5G推進國產(chǎn)存儲生態(tài)加速構(gòu)建

5G時代，隨著物聯(lián)網(wǎng)、AR、AI、以及智慧城市、自動駕駛等應(yīng)用市場的發(fā)展，入網(wǎng)的移動設(shè)備大量增長，網(wǎng)絡(luò)交互行為更加頻繁，將拉動數(shù)據(jù)存儲增加，數(shù)據(jù)的上傳和下載量將是過去4G時代的數(shù)倍，RRAM（阻變式存儲器）、MRAM（磁性隨機存儲器）、PRAM/PCM（相變存儲器）等新的存儲技術(shù)可能有突破性發(fā)展。

國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)仍需面對產(chǎn)品良率、機臺建置以及IP相關(guān)限制等挑戰(zhàn)，構(gòu)建國產(chǎn)存儲生態(tài)，有助于推進傳輸效率更快、穩(wěn)定性更高、存儲質(zhì)量更好的存儲產(chǎn)品落地。