最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司推出納薇最新GaNFast系列 NV6127、NV6128、NV6125、NV6136A 氮化鎵功率芯片產(chǎn)品詳情NV6127 是流行的 NV6117 650 V GaNFast? 電源 IC 的熱增強(qiáng)版本，針對(duì)高頻和軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。采用QFN6*8mm封裝,散熱性能升級(jí),125mΩ導(dǎo)阻,內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器支持1…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司推出納薇最新GaNFast系列 NV6127、NV6128、NV6125、NV6136A 氮化鎵功率芯片
產(chǎn)品詳情
NV6127 是流行的 NV6117 650 V GaNFast? 電源 IC 的熱增強(qiáng)版本，針對(duì)高頻和軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。采用QFN6*8mm封裝,散熱性能升級(jí),125mΩ導(dǎo)阻,內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器支持10-30V供電。最高支持2MHz開關(guān)頻率。
NV6128 是一款全新額定電壓650V/800V的大功率GaNFast功率芯片，其集成了GaN、驅(qū)動(dòng)器和邏輯保護(hù)器件，外圍更加精簡。該芯片采用6 x 8 mm小型PQFN封裝，內(nèi)阻低至70mΩ，并擁有專有的集成散熱墊，電流承載能力提高了66％，適用于高效率、高功率密度的電源系統(tǒng)。
NV6125 是流行的 NV6115 650 V GaNFastTM 電源 IC 的熱增強(qiáng)版本,針對(duì)高頻和軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器，175mΩ導(dǎo)阻，耐壓650V，支持2MHz開關(guān)頻率，適用于升壓、降壓、半橋、全橋開關(guān)電源等諸多應(yīng)用場合。
NV6136A 內(nèi)置170mΩ氮化鎵開關(guān)管，采用QFN6*8封裝，內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)器支持10-30V供電，支持2MHz開關(guān)頻率。
特征
GaNFast? 電源IC
單片集成柵極驅(qū)動(dòng)器
寬VCC范圍（10至30 V）
可編程開啟dV/dt
200 V/ns dV/dt抗擾度
800 V瞬態(tài)電壓額定值
700 V連續(xù)額定電壓
低170米? 反對(duì)
零反向恢復(fù)充電
2 MHz操作
拓?fù)?應(yīng)用
交流-直流，直流-直流，交流-交流
QR反激、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC諧振、D級(jí)
無線電源、太陽能微型逆變器、LED照明、電視SMPS、服務(wù)器、電信
總結(jié)
作為世界上率先推出氮化鎵功率IC的公司，納微半導(dǎo)體擁有強(qiáng)大且不斷增長的功率半導(dǎo)體行業(yè)專家團(tuán)隊(duì)，可以持續(xù)不斷為廣大充電器或電源適配器廠商提供多種氮化鎵技術(shù)的產(chǎn)品，可以最高支持PD3.1協(xié)議的240W氮化鎵充電器應(yīng)用，同時(shí)讓更多領(lǐng)域的產(chǎn)品享受到第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)賦能的好處。
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