商品名稱:汽車 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IAUTN08S5N012L 是 80V 1.15mΩ 或 9.0mΩ N 溝道 OptiMOS? 5 汽車 MOSFET 晶體管。
IAUTN08S5N012L 的特點
一個封裝中包含兩種 MOSFET!
線性 FET 和低 RDS(on) FET 類型
LINFET 開關(guān)速度慢,限制電流
ONFET 用于限制穩(wěn)態(tài)損耗
LINFET 具有增強的 SOA
嚴(yán)格的 VGS(th) 范圍,適合并聯(lián)
每個 MOSFET 都有專用的柵極引腳
通用 MOSFET 源極和漏極引腳
超越 AEC-Q101 的擴展鑒定
增強的電氣測試
MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260°C
175°C 工作溫度
IAUTN08S5N012L 的優(yōu)點
在一個部件中實現(xiàn)兩種 MOSFET 的最佳性能
獨立控制每個 MOSFET
通過慢速開關(guān)將 EMI 降到最低
限制浪涌電流
過壓保護(hù)鉗
利用 ONFET 將傳導(dǎo)損耗降至最低
高 VDS 時線性模式電流大
可替換 2 個 FET,節(jié)省成本
久經(jīng)考驗的堅固 OptiMOS? 5 和 TOLL
專為汽車設(shè)計,堅固耐用
為汽車生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品
IAUTN08S5N012L 的應(yīng)用
用于電容器充電的浪涌電流限制
用于電機浪涌電流的浪涌電流限制
開關(guān)速度慢,可最大限度地減少瞬態(tài)電壓和 EMI
漏極-源極電壓箝位,用于耗散電感能量
漏極-源極電壓箝位,用于過壓保護(hù)
電池斷連開關(guān) 48V
電池管理系統(tǒng) (BMS) 48V
配電系統(tǒng) 48V
48V 電動催化加熱器 (eCAT) 和 48V PTC 輔助加熱器
輕型電動車主逆變器電機控制
輕型電動車電池管理
48V 系統(tǒng)
48V 主動懸掛系統(tǒng)
安全氣囊系統(tǒng)備用電源
電池斷連開關(guān) 24V
電池管理系統(tǒng) (BMS) 24V
配電系統(tǒng) 24V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IPC100N04S5-2R8
IPC100N04S5-2R8是一款汽車級 N 溝道增強型功率 MOSFET,屬于 OptiMOS?-5 系列,采用 PG-TDSON-8 封裝形式IMW65R007M2H
采用 TO-247 封裝的 IMW65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)方面均有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級…IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列,RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片,在元件內(nèi)部倒置。它提高了散熱能力,改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過模封裝的三倍,并提供標(biāo)準(zhǔn)和中心柵基底面。IQE008N03LM5SC 的特點RDS(on) 大…ISC055N15NM6
ISC055N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC055N15NM6 的特性極低的 RDS(on)FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qrr與 OptiMOS?ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qr電話咨詢:86-755-83294757
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