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產(chǎn)品分類

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AI 加速器

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商品型號:IPDQ60R022S7AXTMA1

商品名稱:IPDQ60R022S7AXTMA1

數(shù)據(jù)手冊:IPDQ60R022S7AXTMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPDQ60R022S7AXTMA1
封裝
PG-HDSOP-22
描述
表面貼裝型 N 通道 600V 24A(Tc) 416W(Tc) PG-HDSOP-22-1

產(chǎn)品描述

IPDQ60R022S7AXTMA1(600V)CoolMOS? S7A功率器件適用于MOSFET在低頻下開關(guān)的xEV應(yīng)用。該MOSFET的設(shè)計提供了成本優(yōu)化的低導(dǎo)通電阻RDS(on),能夠提高功率密度并將傳導(dǎo)損耗降至最低。S7A MOSFET是符合最高汽車質(zhì)量要求的車規(guī)級AEC-Q101器件。


產(chǎn)品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):12V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):22 毫歐 @ 23A,12V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.44mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):150 nC @ 12 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5640 pF @ 300 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):416W(Tc)

工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22-1

封裝/外殼:22-PowerBSOP 模塊

基本產(chǎn)品編號:IPDQ60R


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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