商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
BSC026N08NS5 OptiMOS? 5 80 V 功率 MOSFET 專為電信和服務(wù)器電源的同步整流而設(shè)計(jì)。此外,該器件還可用于太陽(yáng)能、低壓驅(qū)動(dòng)和適配器等其他工業(yè)應(yīng)用。OptiMOS? 5 80 V MOSFET 采用七種不同的封裝,具有業(yè)界最低的 RDS(on)。此外,與上一代產(chǎn)品相比,OptiMOS? 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。
BSC026N08NS5 特征
針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化
非常適合高開(kāi)關(guān)頻率
輸出電容降低高達(dá) 44%
RDS(on) 降低高達(dá) 43%
BSC026N08NS5 規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :23A(Ta),100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 2.6 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) :3.8V @ 115μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 92 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 6800 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),156W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TDSON-8-6
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
BSC026N08NS5潛在應(yīng)用
通信
服務(wù)器
太陽(yáng)能
低壓驅(qū)動(dòng)器
輕型電動(dòng)車
適配器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…DD171N12KK
DD171N12KK是一款高性能整流二極管模塊,屬于 DD171N 系列。該模塊采用壓力接觸技術(shù),具有 1200V 的阻斷電壓和 171A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應(yīng)用。其先進(jìn)的設(shè)計(jì)和制造工藝確保了在高功率應(yīng)用中的可靠性和效率。產(chǎn)品特性—DD171N12KK壓力接觸技術(shù):提供高…DD171N12KA
DD171N12KA是一款 1200V、171A 的整流二極管模塊,采用壓力接觸封裝。該模塊設(shè)計(jì)用于高功率應(yīng)用,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和可靠的性能。DD171N12KA產(chǎn)品特性高電壓和大電流處理能力 :能夠承受高達(dá) 1200V 的反向電壓,最大可處理 171A 的連續(xù)電流。低功耗 :具備低正向?qū)ā?/span>ND89N16K
ND89N16K是一款 20mm 單整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有 1600V 的阻斷電壓和 89A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應(yīng)用。ND89N12K
ND89N12K是單整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 模塊,用于使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)進(jìn)行相位控制。BSC020N03MSG
BSC020N03MSG是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 OptiMOS? 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,封裝形式為 TDSON-8(5x6mm),適用于多種高效功率應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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