商品名稱:IMBF170R450M1XTMA1
數(shù)據(jù)手冊:IMBF170R450M1XTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
IMBF170R450M1XTMA1 1700V溝槽式碳化硅MOSFET晶體管 TO-263-8
產(chǎn)品屬性:
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:1.7 kV
Id - 連續(xù)漏極電流:9.8 A
Rds On - 漏極-源極電阻: 450 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 10 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極源閾值電壓:4.5 V
Qg - 柵極電荷: 11 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率耗散: 107 W
通道模式: 增強型
下降時間:24 ns
正向電導(dǎo)率 - 最小: 0.9 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
產(chǎn)品介紹
IMBF170R450M1XTMA1是1700V的CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET晶體管,采用TO-263-7封裝。
特點是
極低的開關(guān)損耗
與反激式控制器兼容的12 V/0 V柵極源電壓
完全可控的dV/dt,針對EMI進行了優(yōu)化
與具有12 V / 0 V柵極源電壓的反激式控制器兼容
SMD(表面貼裝)封裝,增加了爬電距離和電氣間隙(>7毫米)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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