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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IPBE65R075CFD7AATMA1

商品名稱:IPBE65R075CFD7AATMA1

數(shù)據(jù)手冊:IPBE65R075CFD7AATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPBE65R075CFD7AATMA1
封裝
TO-263-7
描述
N-通道650V 32A(Tc) 171W(Tc) 表面貼裝型

產(chǎn)品描述

IPBE65R075CFD7AATMA1是650V的CoolMOS? N溝道汽車級SJ功率MOSFET CFD7A,具有更高的可靠性和功率密度,并增強了設(shè)計靈活性。


IPBE65R075CFD7AATMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型: N-溝道

技術(shù): MOSFET (金屬氧化物)

漏極至源極電壓(Vdss): 650 V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 32A (Tc)

驅(qū)動電壓(最大Rds開啟,最小Rds開啟): 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ Id: 4.5V @ 820μA

柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68 nC @ 10 V

Vgs(最大): ±20V

輸入電容(Ciss)(最大)@ Vds: 3288 pF @ 400 V

功率耗散(最大): 171W (Tc)

操作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: PG-T263-7-3-10

封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6條引線+接片),TO-263CB


IPBE65R075CFD7AATMA1的特點

高質(zhì)量和可靠性

100%雪崩測試

增加了封裝的爬電距離

電池電壓高達475V而不影響可靠性標(biāo)準(zhǔn)

硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的效率提高達98.4%。

固有的快速體二極管Qrr比CoolMOS? CFDA低30%。


晶體管 IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 汽車級 MOSFET 晶體管 650V


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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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