商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IPDD60R180CM8:600V,CoolMOS? 8 N-通道功率MOSFET晶體管,PG-HDSOP-10
型號:IPDD60R180CM8
封裝:PG-HDSOP-10
類型:N-通道功率MOSFET晶體管
IPDD60R180CM8 - 產(chǎn)品規(guī)格:
系列:CoolMOS?
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Tj)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):180 毫歐 @ 5.6A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.7V @ 140μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):17 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):743 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):169W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-10-1
封裝/外殼:10-PowerSOP 模塊
應(yīng)用:
電源和轉(zhuǎn)換器
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器
高效開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…FF300R12W2T7EB11
FF300R12W2T7EB11(碳化硅 MOSFET 模塊):1200V,300mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊型號:FF300R12W2T7EB11封裝:模塊類型:EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊?FF300R12W2T7EB11是英飛凌推出的EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊?。以下為FF200R12W2T7EB11
FF200R12W2T7EB11是一款1200V,200mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,以下是 FF200R12W2T7EB11 的詳細(xì)介紹:型號:FF200R12W2T7EB11封裝:模塊類型:EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊FF200R12W2T7EB11 - 特征描述:1200V CoolSiC? MOSFET 12 毫米高FF150R12W2T7EB11
FF150R12W2T7EB11:1200V,150mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊型號:FF150R12W2T7EB11封裝:模塊類型:EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊FF150R12W2T7EB11 - 特征描述:1200V CoolSiC? MOSFET 12 毫米高的同類最佳封裝將領(lǐng)先寬禁帶材料與 Easy 模塊XMC6521SCQ040X
XMC6521SCQ040X:XMC1000系列 - XMC?-SC無線電源控制器,PG-VQFN-40型號:XMC6521SCQ040X(基于 ARM Cortex-M 的 32位工業(yè)微控制器)封裝:PG-VQFN-40類型:XMC?-SC無線電源控制器XMC6521SCQ040X 是基于 ARM Cortex-M0 處理器內(nèi)核的 XMC1000 系列微控制器的成員。XMC65…S25HL02GTFABHV153
S25HL02GTFABHV153 是 HS-T 系列的 SEMPER? NOR 閃存器件。它具有 2 Gbit 的高密度和帶寬為 102 MByte/s 的四 SPI 接口。該器件工作電壓為 1.8V,接口頻率為 166/102 MHz(SDR/DDR)。這款尖端存儲器件采用 PG-BGA-24 封裝,采用英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)。S25HL…電話咨詢:86-755-83294757
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