商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IPT017N10NM5LF2:100V、1.7mΩ、321A,OptiMOS? 5 單 N 溝道線性 FET 晶體管,采用 TOLL 封裝
型號:IPT017N10NM5LF2
封裝:PG-HSOF-8
類型:OptiMOS? 5 單 N通道MOSFET晶體管
IPT017N10NM5LF2 是英飛凌同類最佳的 OptiMOS? 5 線性 FET 2 100 V,采用 TO-Leadless (TOLL)封裝,在 25?C 時具有業(yè)界最低的 RDS(on)和寬 SOA。OptiMOS? 5 線性 FET 2 技術(shù)實現(xiàn)了 RDS(on) 和線性模式能力之間的最佳權(quán)衡。
應(yīng)用領(lǐng)域:
電池管理系統(tǒng)-電池保護(hù)
電信基礎(chǔ)設(shè)施
服務(wù)器電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…FF300R12W2T7EB11
FF300R12W2T7EB11(碳化硅 MOSFET 模塊):1200V,300mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊型號:FF300R12W2T7EB11封裝:模塊類型:EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊?FF300R12W2T7EB11是英飛凌推出的EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊?。以下為FF200R12W2T7EB11
FF200R12W2T7EB11是一款1200V,200mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,以下是 FF200R12W2T7EB11 的詳細(xì)介紹:型號:FF200R12W2T7EB11封裝:模塊類型:EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊FF200R12W2T7EB11 - 特征描述:1200V CoolSiC? MOSFET 12 毫米高FF150R12W2T7EB11
FF150R12W2T7EB11:1200V,150mΩ,EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊型號:FF150R12W2T7EB11封裝:模塊類型:EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET半橋模塊FF150R12W2T7EB11 - 特征描述:1200V CoolSiC? MOSFET 12 毫米高的同類最佳封裝將領(lǐng)先寬禁帶材料與 Easy 模塊XMC6521SCQ040X
XMC6521SCQ040X:XMC1000系列 - XMC?-SC無線電源控制器,PG-VQFN-40型號:XMC6521SCQ040X(基于 ARM Cortex-M 的 32位工業(yè)微控制器)封裝:PG-VQFN-40類型:XMC?-SC無線電源控制器XMC6521SCQ040X 是基于 ARM Cortex-M0 處理器內(nèi)核的 XMC1000 系列微控制器的成員。XMC65…S25HL02GTFABHV153
S25HL02GTFABHV153 是 HS-T 系列的 SEMPER? NOR 閃存器件。它具有 2 Gbit 的高密度和帶寬為 102 MByte/s 的四 SPI 接口。該器件工作電壓為 1.8V,接口頻率為 166/102 MHz(SDR/DDR)。這款尖端存儲器件采用 PG-BGA-24 封裝,采用英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)。S25HL…電話咨詢:86-755-83294757
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