IPDQ60T010S7是一款600 V CoolMOS S7T功率MOSFET。
英飛凌的高性能 CoolMOS? SJ MOSFET 技術可以輕松設計速度更快、品質卓越的新型高功率產品。 S7 系列高壓超級結 MOSFET將 22 mOhm 芯片內置于創(chuàng)新的小型 TO 無引線 (TOLL) SMD 封裝中,為功率密度樹立了新的基準。
產品屬性:
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PG-HDSOP-22
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:174 A
Rds On-漏源導通電阻:10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:318 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散:694 W
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
商標:Infineon Technologies
配置:Single
下降時間:9 ns
產品類型:MOSFETs
型號
品牌
封裝
數量
描述
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