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IMW120R090M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、90 mΩCoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關(guān)相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

特點

極低的開關(guān)損耗

無閾值通態(tài)特性

寬廣的柵極-源極電壓范圍

基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5V

0V的關(guān)斷柵極電壓，便于簡單的柵極驅(qū)動

完全可控的dV/dt

用于硬換向的穩(wěn)健體二極管

與溫度無關(guān)的關(guān)斷開關(guān)損耗

優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。