商品名稱：N-通道功率MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-HDSOP-22
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPDQ60T017S7帶有嵌入式溫度傳感器的 CoolMOS? S7T 提高了結溫感應的準確性和穩(wěn)健性，同時實現(xiàn)了輕松實施。該器件針對低頻和大電流開關應用進行了優(yōu)化。它是固態(tài)繼電器、斷路器設計和 SMPS 中線路整流的理想選擇。
溫度傳感器增強了 CoolMOS? S7 的功能，使功率晶體管得到最佳利用。
IPDQ60T017S7的特征描述：
優(yōu)化的性價比
專為低頻開關量身定制
減少寄生源電感
無縫診斷
精確、快速的長期監(jiān)測
大電流能力
增強保護
優(yōu)化熱器件利用率
尖端的頂部冷卻封裝
IPDQ60T017S7的優(yōu)勢：
傳導損耗最小
提高系統(tǒng)性能
與 EMR 相比，允許更緊湊的設計
長期總體擁有成本更低
實現(xiàn)更高的功率密度設計
減少外部傳感元件
充分利用功率晶體管
精度比分立傳感器高 40
比分立傳感器解決方案快 4 倍
優(yōu)化 PCB 空間利用率
實現(xiàn)功能安全
同類產(chǎn)品中最佳的散熱性能
IPDQ60T017S7的潛在應用：
固態(tài)繼電器 (SSR)
固態(tài)斷路器 (SSCB)
電機軟啟動器
配電裝置（AC/DC）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6：150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16型號：IPTC025N15NM6封裝：PG-HDSOP-16類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管概述：IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技
IPT025N15NM6
IPT025N15NM6：150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號：IPT025N15NM6封裝：PG-HSOF-8類型：功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），…電話咨詢：86-755-83294757
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