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C3M0025065J1 是 650V N 溝道增強(qiáng)型 SiC MOSFET 晶體管，采用 TO-263-7 封裝。它是高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用的理想之選。

C3M0025065J1 - 650V N 溝道增強(qiáng)型 SiC MOSFET 晶體管，采用 TO-263-7 封裝

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：80A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：34 毫歐 @ 33.5A，15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 9.22mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：109 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2980 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：271W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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