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UF4SC120030B7S - 1200V、30mΩ G4 SiC FET 分立晶體管

該器件采用節(jié)省空間的 D2PAK-7L 封裝，可實現(xiàn)自動裝配，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，是電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品： SiC FET  

技術(shù)：SiC  

Vf - 正向電壓：1.35 V  

Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V  

安裝方式： SMD/SMT  

封裝/外殼 D2PAK-7 

下降時間：11 ns  

Id - 持續(xù)漏極電流：56 A  

通道數(shù) 1 通道  

Pd - 功率耗散： 341 W 

Rds On - 漏極-源極電阻： 39 mOhms  

上升時間：20 ns 

晶體管極性 N 溝道  

典型關(guān)斷延遲時間：62 ns  

典型導(dǎo)通延遲時間：26 ns  

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.2 kV  

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：6 V

主要特性

導(dǎo)通電阻 RDS（on）： 30 歐姆（典型值）

工作溫度 175℃（最高）

出色的反向恢復(fù)能力： Qrr = 164nC

低體二極管 VFSD：1.22V

低柵極電荷： QG = 37.8nC

本征電容低

ESD 保護： HBM 2 級

典型應(yīng)用

電動汽車充電

光伏逆變器

開關(guān)模式電源

功率因數(shù)校正電路

直流-直流轉(zhuǎn)換器電路

感應(yīng)加熱

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