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STH60N099DM9-2AG MDmesh? M9功率MOSFET具有增強型器件結構、低導通電阻和低柵極電荷值。該功率MOSFET具有高反向二極管dv/dt和MOSFET dv/dt耐受性、高功率密度和低導通損耗。MDmesh M9功率MOSFET還具有高開關速度、高效率和低開關功率損耗。典型應用包括服務器、電信數(shù)據(jù)中心、5G電源站、微逆變器和快速充電器。

產品屬性

產品種類 ：MOSFET

技術 ：Si

安裝風格 ：SMD/SMT

封裝 / 箱體 ：H2PAK-2

晶體管極性 ：N-Channel

通道數(shù)量 ：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓 ：600 V

Id-連續(xù)漏極電流 ：27 A

Rds On-漏源導通電阻 ：99 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓 ：30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓 ：4.5 V

Qg-柵極電荷 ：44 nC

最小工作溫度 ：- 55°C

最大工作溫度 ：+ 150°C

Pd-功率耗散 ：179 W

通道模式 ：增強型

封裝 ：卷帶

商標 ：STMicroelectronics

配置 ：單通道

下降時間 ：5 ns

產品類型 ：MOSFET

上升時間 ：8 ns

工廠包裝數(shù)量 ：1000

子類別 ：MOSFETs

晶體管類型 ：1 N-Channel

典型關閉延遲時間 ：58 ns

典型接通延遲時間 ：18 ns

單位重量 ：1.490 g

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