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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):STH60N099DM9-2AG

商品名稱:STH60N099DM9-2AG

品牌:ST

年份:23+

封裝:H2PAK-2

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ST
型號(hào)
STH60N099DM9-2AG
封裝
H2PAK-2
描述
表面貼裝型 N 通道 600 V 27 A 76 mOhm H2PAK-2

產(chǎn)品描述

STH60N099DM9-2AG MDmesh? M9功率MOSFET具有增強(qiáng)型器件結(jié)構(gòu)、低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷值。該功率MOSFET具有高反向二極管dv/dt和MOSFET dv/dt耐受性、高功率密度和低導(dǎo)通損耗。MDmesh M9功率MOSFET還具有高開關(guān)速度、高效率和低開關(guān)功率損耗。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、電信數(shù)據(jù)中心、5G電源站、微逆變器和快速充電器。


產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類 :MOSFET

技術(shù) :Si

安裝風(fēng)格 :SMD/SMT

封裝 / 箱體 :H2PAK-2

晶體管極性 :N-Channel

通道數(shù)量 :1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓 :600 V

Id-連續(xù)漏極電流 :27 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 :99 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓 :30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓 :4.5 V

Qg-柵極電荷 :44 nC

最小工作溫度 :- 55°C

最大工作溫度 :+ 150°C

Pd-功率耗散 :179 W

通道模式 :增強(qiáng)型

封裝 :卷帶

商標(biāo) :STMicroelectronics

配置 :單通道

下降時(shí)間 :5 ns

產(chǎn)品類型 :MOSFET

上升時(shí)間 :8 ns

工廠包裝數(shù)量 :1000

子類別 :MOSFETs

晶體管類型 :1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間 :58 ns

典型接通延遲時(shí)間 :18 ns

單位重量 :1.490 g


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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…

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