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LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達 150 V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。 LMG3425R030 包含理想二極管模式，該模式通過啟用自適應死區(qū)時間控制功能來降低第三象限損耗。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。

特性

? 符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準

? 帶集成柵極驅(qū)動器的 600-V GaN-on-Si FET

集成高精度柵極偏置電壓

200V/ns CMTI

2.2MHz 開關頻率

30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關性能和緩解 EMI

在 7.5V 至 18V 電源下工作

? 強大的保護

響應時間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護

硬開關時可承受 720V 浪涌

針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護

? 高級電源管理

數(shù)字溫度 PWM 輸出

理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗

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