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NTMYS010N04CLTWG 是適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的工業(yè)用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。該器件具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，并具有低柵極電荷和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。這些工業(yè)級(jí)功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，具有較寬的工作溫度范圍（-55°C至+175°）。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Ta），38A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10.3 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：7.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：570 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），28W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號(hào)：NTMYS010

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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