商品名稱:FF33MR12W1M1HP
數(shù)據(jù)手冊:FF33MR12W1M1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF33MR12W1M1HP IGBT模塊(帶CoolSiC? MOSFET)具有非常低的雜散電感和出色的效率,因此頻率更高、功率密度更高、冷卻要求更低。1200V、8mΩ半橋模塊采用集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點技術。xHP_B11型號提供熱界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推薦柵極驅動電壓范圍、+23V或-10V的最大柵極-源極電壓以及17mΩ或33mΩ的漏極-源極電阻選項。集成式安裝夾確保牢固的安裝。
特性
● 同類最佳封裝,尺寸為62.8mm x 33.8mm x 12mm(LxWxH)
● 將先進的WBG材料和簡易模塊封裝結合在一起
● 模塊雜散電感非常低
● 寬RBSOA
● 1200V CoolSiC MOSFET,采用增強型第一代溝槽技術
● 擴展的推薦柵極驅動電壓窗口:0至5V和+15V至+18V
● 擴展的最大柵極-源極電壓:+23V和-10V
● 漏極-源極導通電阻選項:17mΩ或33mΩ
應用
● 高頻開關應用
● 直流/直流轉換器
● UPS系統(tǒng)
● 電機驅動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IPC100N04S5-2R8
IPC100N04S5-2R8是一款汽車級 N 溝道增強型功率 MOSFET,屬于 OptiMOS?-5 系列,采用 PG-TDSON-8 封裝形式IMW65R007M2H
采用 TO-247 封裝的 IMW65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術優(yōu)勢的基礎上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設計。第 2 代產品在硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵性能指標方面均有顯著改進,適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級…IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列,RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術采用翻轉硅芯片,在元件內部倒置。它提高了散熱能力,改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過模封裝的三倍,并提供標準和中心柵基底面。IQE008N03LM5SC 的特點RDS(on) 大…ISC055N15NM6
ISC055N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術旨在滿足高、低開關頻率應用以及硬開關和軟開關的要求。ISC055N15NM6 的特性極低的 RDS(on)FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qrr與 OptiMOS?ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術旨在滿足高、低開關頻率應用以及硬開關和軟開關的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qr電話咨詢:86-755-83294757
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