商品名稱：SH68N65DM6AG
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
SH68N65DM6AG.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：9-PowerSMD
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
SH68N65DM6AG 器件在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了兩個(gè) MOSFET。ACEPACK SMIT 是一款非常緊湊堅(jiān)固的電源模塊，采用表面貼裝封裝，便于組裝。由于采用了 DBC 基底面，ACEPACK SMIT 封裝具有較低的熱阻和隔離的頂部散熱墊。該封裝具有很高的設(shè)計(jì)靈活性，可通過內(nèi)部電源開關(guān)的不同組合實(shí)現(xiàn)多種配置，包括相腳、升壓和單開關(guān)。
特點(diǎn)
通過 AQG 324 認(rèn)證
半橋功率模塊
650 V 阻塞電壓
快速恢復(fù)體二極管
開關(guān)能量極低
封裝電感低
直接鍵合銅（DBC）基板上的晶粒
熱阻低
隔離額定值為 3.4 kVrms/min
應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%；營(yíng)業(yè)…
HFA80A-F2Y
HFA80A-F2Y 是一款 D 類音頻放大器，采用 BCD9s 技術(shù)，專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。HFA80A-F2Y 集成了先進(jìn)的解決方案，具有出色的輻射噪聲抗擾度和 2 MHz 開關(guān) PWM D 類輸出級(jí)的優(yōu)勢(shì)。這種配置可實(shí)現(xiàn)出色的音頻性能，同時(shí)設(shè)計(jì)出結(jié)構(gòu)緊湊、成本低廉的應(yīng)用。HFA80A-F2Y 的規(guī)格類別…
STM32H523ZET6
概述：STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點(diǎn)單元 (FPU)，運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存儲(chǔ)器、272 KB SRAM，采用144引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523ZEJ6
概述：STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點(diǎn)單元 (FPU)，運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲(chǔ)器、272 KB SRAM，采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VET6
概述：STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點(diǎn)單元 (FPU)，運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲(chǔ)器、272 KB SRAM，采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VEI6
概述：STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點(diǎn)單元 (FPU)，運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲(chǔ)器、272 KB SRAM，采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523RET6
概述：STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點(diǎn)單元 (FPU)，運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲(chǔ)器、272 KB SRAM，采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…電話咨詢：86-755-83294757
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