商品名稱：A1F25M12W2-F1
數(shù)據(jù)手冊：
A1F25M12W2-F1.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
A1F25M12W2-F1該電源模塊采用帶 NTC 的 ACEPACK 1 模塊中的四組拓撲結(jié)構(gòu)，并集成了意法半導(dǎo)體最先進的碳化硅 MOSFET（以 gen.2 技術(shù)為代表）。這種模塊化解決方案可用于實現(xiàn)具有極高功率密度特點的復(fù)雜拓撲結(jié)構(gòu)，以滿足最高效率要求。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)： 碳化硅（SiC）
配置： 4 個 N 通道
FET 功能： 碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）： 1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：50A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 34 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.9V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 147nC @ 18V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 3500pF @ 800V
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
供應(yīng)商器件封裝： ACEPACK 1
應(yīng)用
? 直流/直流轉(zhuǎn)換器
? 高頻開關(guān)應(yīng)用
? 焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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意法半導(dǎo)體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
HFA80A-F2Y
HFA80A-F2Y 是一款 D 類音頻放大器，采用 BCD9s 技術(shù)，專為汽車應(yīng)用而設(shè)計。HFA80A-F2Y 集成了先進的解決方案，具有出色的輻射噪聲抗擾度和 2 MHz 開關(guān) PWM D 類輸出級的優(yōu)勢。這種配置可實現(xiàn)出色的音頻性能，同時設(shè)計出結(jié)構(gòu)緊湊、成本低廉的應(yīng)用。HFA80A-F2Y 的規(guī)格類別…
STM32H523ZET6
概述：STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用144引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523ZEJ6
概述：STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VET6
概述：STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VEI6
概述：STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523RET6
概述：STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…電話咨詢：86-755-83294757
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