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IQE046N08LM5SC的設計符合提升系統效率的需求，同時可降低系統成本。相較于其他備選器件，這些器件的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。該產品采用新型硅技術，經優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算領域中的服務器、數據通信和客戶端應用。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15.6A（Ta），99A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.6 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 47μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：38 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3250 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-WHSON-8

封裝/外殼：8-PowerWDFN

應用

● 臺式機和服務器r

● 單相和多相PoL

● 筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調節(jié)

● 高功率密度電壓調節(jié)器

● O形環(huán)

● 電子保險絲

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