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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NTMYS4D6N04CLTWG

商品名稱:NTMYS4D6N04CLTWG

數(shù)據(jù)手冊:NTMYS4D6N04CLTWG.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:LFPAK-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NTMYS4D6N04CLTWG
封裝
LFPAK-4
描述
功率 MOSFET 40 V、4.5 mOhms、78 A、單 N 溝道

產(chǎn)品描述

NTMYS4D6N04CLTWG是一款工業(yè)功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPAK 封裝,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。


規(guī)格

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LFPAK-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 78 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 4.4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 72 S

上升時間: 3.4 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 9.2 ns

單位重量: 75 mg

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

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