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AIMW120R080M1XKSA1具有33A的漏極電流和80mΩ的導(dǎo)通電阻。 Infineon車規(guī)級1200V碳化硅溝槽型MOSFET專為車載充電器/PFC和升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計。Infineon Technologies CoolSiC?車規(guī)級1200V碳化硅溝槽型MOSFET具有更高的功率密度、更高的頻率和更高的效率。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：33A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：104 毫歐 @ 13A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+20V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1060 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-41

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 車載充電器/PFC

● 升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器

● 輔助逆變器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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