商品名稱:CYT2B75CADQ0AZEGS
數(shù)據(jù)手冊:CYT2B75CADQ0AZEGS.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:100-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CYT2B75CADQ0AZEGS 是 TRAVEO? T2G 微控制器系列,面向車身控制單元等汽車系統(tǒng)。它有一個用于主處理的 Arm? Cortex?-M4 CPU 和一個用于外設和安全處理的 Arm? Cortex?-M0+ CPU。它包含支持帶靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng)(CAN FD)和本地互連網(wǎng)(LIN)的嵌入式外設。
產(chǎn)品特性
- 雙 CPU 子系統(tǒng)
- 160 MHz(最大)32 位 Arm? Cortex?-M4F CPU,帶
- 單周期乘法
- 單精度浮點運算單元 (FPU)
- 內(nèi)存保護單元 (MPU)
- 100-MHz (最大值) 32 位 Arm? Cortex? M0+ CPU,帶
- 單周期乘法
- 內(nèi)存保護單元
- 硬件處理器間通信
- 集成存儲器
- 1088 KB 代碼閃存,另有 96 KB 工作閃存
- 讀寫(RWW)功能允許在執(zhí)行代碼閃存/工作閃存的同時對其進行更新
- 單組和雙組模式(專門用于固件無線更新 [FOTA]
- 通過 SWD/JTAG 接口進行閃存編程
- 128 KB SRAM,保留粒度可選
- 低功耗 2.7v 至 5.5v 工作電壓
- 支持喚醒
- 多達兩個引腳,用于從休眠模式喚醒
- 最多 152 個 GPIO 引腳,用于從休眠模式喚醒
- 事件發(fā)生器、SCB、看門狗定時器、RTC 警報,用于從深度睡眠模式喚醒
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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