商品名稱:TLE4998S8XUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):TLE4998S8XUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
TLE4998S8XUMA1 是高性能可編程單線性霍爾傳感器。它專為滿足高精度角度和位置檢測(cè)的要求而設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):霍爾效應(yīng)
軸:?jiǎn)温?/span>
輸出類型:開路漏極
感應(yīng)范圍:±50mT ~ ±200mT
電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V
電流 - 供電(最大值):8mA
電流 - 輸出(最大值):5mA
分辨率:16 b
帶寬:80Hz,240Hz,440Hz,640Hz,860Hz,1.1kHz,1.39kHz
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
特性:可編程
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
產(chǎn)品特性
20 位數(shù)字信號(hào)處理 (DSP)
數(shù)字溫度和應(yīng)力補(bǔ)償
16 位總體分辨率
工作溫度范圍 -40°C 至 125°C
電源電壓 4.5-5.5 V(擴(kuò)展范圍 4.1-16 V)
可配置磁場(chǎng)范圍:±50 mT、±100 mT 或 ±200 mT
所有引腳均具有反極性和過壓保護(hù)功能
板載診斷(過壓、EEPROM 錯(cuò)誤)
輸出內(nèi)部磁場(chǎng)值和溫度
使用共用電源對(duì)多個(gè)傳感器進(jìn)行編程和操作
無迭代步驟的磁傳遞函數(shù)兩點(diǎn)校準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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