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AONS36348 30V N溝道MOSFET

產(chǎn)品屬性

FET型N溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏極-源極電壓（Vdss）30 V

電流-25°C時的連續(xù)漏極（Id）24A（Ta），50A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V，10V

Id時Rds On（Max），20A、10V時Vgs 7mOhm

Vgs（th）（最大值）@Id 2.1V@250μA

柵極電荷（Qg）（最大）@Vgs 20 nC@10 V

電壓（最大值）±20V

輸入電容（Ciss）（最大）@Vds 800 pF@15 V

FET特性-

功耗（最大）6.2W（Ta），26W（Tc）

工作溫度-55°C~150°C（TJ）

安裝類型表面安裝

供應商設備包8-DFN（5x6）

封裝/機箱8-PowerSMD，扁平導線

一般說明

? 溝槽功率MOSFET技術(shù)30V

? RDS低（打開）

? 低柵極電荷

? 高電流能力

? 符合RoHS和無鹵素標準

應用

? 計算、服務器和POL中的DC/DC轉(zhuǎn)換器

? 電信和工業(yè)中的隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器

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